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真空鍍膜的注意事項
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佳達

時間 : 2020-03-09 17:58 瀏覽量 : 15

 真空鍍膜的注意事項

 在通過真空鍍膜進行的成膜中,由于不需要加熱基板,因此被定位為低溫成膜方法。然而,由于作為膜的原料的固體和液體被轉化為氣體,因此蒸發源通過電子束或電弧放電被加熱至高溫。因此,即使不直接加熱基板,也存在許多其他加熱因素,例如來自蒸發源的輻射熱,并且當應用于軟化溫度低或熔點低的材料時,不足以在處理期間升高溫度。需要注意。

 在CVD中,通過加熱器將處理后的材料加熱并保持在預定溫度,并以固定狀態進行處理,因此可以相對準確地測量處理后的材料的溫度。但是,通過真空鍍膜進行的成膜是在高真空或中真空下進行的,并且由于加工后的材料繞其自身的軸公轉,因此無法通過熱電偶等直接進行測量,因此難以知道確切的溫度。

 真空鍍膜中的處理對象物的加熱通過加熱器進行,并通過熱電偶等將溫度控制為規定溫度。然而,當使用諸如來自蒸發源的輻射熱或離子鍍層的等離子體時,基材的溫度也由于離子轟擊而升高,因此溫度超過規定溫度并不罕見。另一方面,用于控制的溫度傳感器安裝在幾乎不受來自蒸發源或等離子體的輻射影響的位置,因此處理后的材料的溫度高于用于控制的溫度計的讀數。必須特別小心形成薄膜的薄的物體或邊緣,因為輻射熱或離子轟擊引起的溫度升高很大。例如,當使用要求高硬度以確保鋒利度的切削工具時,鋒利的切削刃的溫度趨于升高,因此當在成膜設備中附接到夾具時,切削刃直接施加來自蒸發源的輻射熱。您必須要有創造力,否則您就無法做到。

 此外,當加熱溫度超過200℃時,容易通過加熱而軟化的鋼琴線,低回火軟化性的碳工具鋼,滲碳淬火產品,感應淬火產品等被軟化。因此,需要特別注意。例如,加熱溫度與鋼琴線硬度之間的關系表明,直到200°C時,硬度幾乎沒有變化,但在200°C以上時突然變軟。

 利用氣體及其離子的轉移的真空鍍膜難以在復雜形狀上均勻地進行處理,并且根據形狀,可能根本無法形成膜。這種較差的投擲力是不可避免的問題,目前只能通過加工材料的凝固方法來解決。因此,在工業規模的成膜裝置中,在工件被固定的位置,作為標準規格配備有自轉等旋轉機構。

 表示成膜角與通過活性反應蒸鍍法(ARE法)制造的TiC膜的膜厚之間的關系。由切割方法實際測量的膜厚度由實線示出,并且假定顆粒已經直線移動了100%的計算值由虛線示出??梢钥闯?,當沉積表面面對蒸發源時(θ= 90°),膜厚最厚;隨著沉積角度的增加,膜厚變薄。直至膜沉積角為約120°的膜厚與計算值完全吻合,但是當膜厚超過120°時,測量值大于計算值。認為該現象是由于飛行中一些氣體粒子由于與其他粒子的碰撞而改變方向的緣故。

 當通過磁控濺射進行TiN涂覆時的膜厚度分布。同樣在這種情況下,在每個被處理物體中,被處理物體B的面對目標并且最接近目標的表面II最厚,并且從目標陰影的表面的厚度大于其他表面。它變得非常薄。


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