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PVD(物理氣相沉積)的簡要描述
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佳達

時間 : 2020-04-05 16:30 瀏覽量 : 26

 PVD(物理氣相沉積)的簡要描述

 PVD(物理氣相沉積)被轉換為物理氣相沉積,但是氬氣會通過磁場放電而被電離,加速,撞擊被稱為靶的金屬板,然后將金屬原子從那里擊落并置于相反的一側這是在晶片上形成膜。也稱為飛濺,但是飛濺是可以在篝火上破裂并彈出的圖像。這是一種先進的成膜工藝。它在半導體工藝中異常穩定,幾乎不產生顆粒(粉塵),因此可以放心使用!

PVD設備

 圖1是PVD設備的示意圖?;緣毫s為10-7Pa,這是半導體制造設備的真空水平。殘留氣體對薄膜質量影響很大。例如,如果存在氧氣或水蒸氣,則會被吸收到薄膜中并被氧化,因此,在配線等中,電阻會增加,結晶作用會不佳,薄膜質量會變差,配線會立即斷裂,從而引起各種不良情況。 。真空度必須嚴格控制。氬氣,N2等被引入真空室并被低溫泵排出。被稱為靶的金屬板被附著到上部,并且由放電產生的氬加上離子被電場吸引并劇烈地與靶碰撞。金屬原子從靶子中射出,粘附到對面的晶片上,并生長成膜。晶片放置在基座基座上,但是在底部有一個加熱源,在處理過程中將其從室溫加熱到高溫。將氬氣引入晶片的背面以改善熱傳導和熱均勻性。這被稱為氬氣卡盤,但這是半導體中經常使用的一種技術。加熱溫度是決定膜的應力和晶體的重要因素。永磁體位于靶的后面,并由電動機驅動以有效地產生等離子體放電。磁場輔助可增強等離子體強度,提高濺射速率并提高批量生產能力。這稱為磁控濺射。設備較大,可以處理高真空。

 您經??吹降脑O備看起來像是稱為群集工具的空間站。處理室圍繞傳送室連接。機械手從前臺的盒式裝載鎖定室傳送晶圓。如果這樣做,隨著晶片被傳送到后腔室,真空度將增加,因此當到達處理腔室時,將在高真空度下執行處理。該設計已被許多設備制造商采用,因為它可以連續施加復合膜并能夠處理各種工藝。

 在硅表面上濺射時必須小心。硅表面具有通過與空氣中的氧氣和水蒸氣反應而形成的天然氧化膜。由于是室溫,因此薄至數納米,并且較弱,但是由于是絕緣膜,因此存在電阻增大等問題。在通過PVD沉積之前必須將其除去。設備中還裝有一個預清潔室(預處理),該室用于通過用CF4或氬氣蝕刻來去除硅表面的自然氧化膜。

 近年來,CVD涂層的應用已呈趨勢發展,但PVD是一項長期且復雜的工藝,不會產生粉塵或副產品,膜層質量良好,并且通過更改目標可以改變涂層類型。它具有許多優點,例如可以使用并且仍然經常使用。盡管布線有許多應用,但是還有一種附著絕緣膜的工藝,該工藝需要特別在低溫下進行。


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