中文字幕韩国三级理论

歡迎來到佳達納米涂層科技有限公司官方網站!
打開客服菜單

新聞中心

contact us

聯系我們

佳達納米涂層 > 解決方案 > CVD的類型和沉積原理
CVD的類型和沉積原理
編輯 :

佳達

時間 : 2020-03-09 18:04 瀏覽量 : 23

 CVD的類型和沉積原理

 CVD(化學氣相沉積)是一種稱為化學氣相沉積的技術,它通過多種氣體的相互反應形成薄膜。CVD的類型為熱CVD(其中使用多種氣體通過熱平衡反應形成膜),等離子CVD(其中利用等離子體的反應促進作用降低氣體的反應溫度)以及紫外光或激光產生的光。存在使用分解的光CVD。盡管不可避免地將其用于半導體領域,但是根據反應氣體的組合可以得到各種膜,近來它已被廣泛用于生產硬質膜,例如碳化物,氮化物和氧化物。

 在熱CVD的膜形成工藝中,將處理對象在加熱爐中加熱到預定溫度,然后將反應物,反應氣體和載氣混合并流入其中,進行這些氣體反應。它用于生成電影。換句話說,反應物用于提供金屬元素,反應氣體用于生成化合物,這些氣體與載氣之間的平衡反應形成了膜。反應物使用氯化物等鹵化物,載氣和反應氣體單獨使用氫或與其他氣體的混合氣體(氮氣,烴氣等)。

 用于形成TiN膜的反應式使用四氯化鈦(TiCl 4)作為反應物,使用氮氣(N 2)作為反應氣體,使用氫氣(H 2)作為載氣。由于TiCl 4在室溫和大氣壓下為液體,因此預先進行加熱和汽化,并與已除去雜質的N 2氣體和H 2氣體一起送入處理槽。在脫水缸中,處理過的材料保持在1000°C左右。當這些氣體與處理過的材料接觸時,氣體反應就會進行,并生成TiN膜。該氣體反應還產生作為廢氣的氯化氫(HCl),但是該氣體是高度腐蝕性和有害的氣體,并且通過廢氣處理裝置被丟棄。

 處理槽內的壓力維持在大氣壓或減壓(約1×10-4至8×10-4 Pa),并且前者可以被分類為常壓熱CVD,而后者可以被分類為減壓熱CVD。 。

 因為熱CVD具有優異的膜的投射能力,所以即使在狹窄的內表面上也容易形成膜,而PVD是不可能的,因此它經常被用作形成主要用于模具的各種硬膜的方法。你呢 然而,另一方面,熱CVD問題是沉積溫度高。高沉積溫度的缺點包括對加工材料的限制,與加工相關的大尺寸和變形以及膜的高表面粗糙度。

 等離子體CVD可以比熱CVD顯著降低成膜溫度,因此它具有廣泛的處理對象,并且具有許多功能,例如具有光滑表面的膜。 當前,用于以工業規模生產硬膜的等離子體CVD是直流(DC)等離子體CVD,并且對模具等的需求正在增加。

 另外,不僅DC等離子體CVD,而且利用高頻振動的高頻(RF)等離子體CVD也被用于工業DLC膜的產生。使用熱絲CVD和微波等離子體CVD來形成金剛石膜。


真空電鍍推薦:

cache
Processed in 0.010510 Second.
中文字幕韩国三级理论